Renesas Electronics America - RJK0305DPB-02#J0

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Artikelnummer:
RJK0305DPB-02#J0
Hersteller:
Renesas Electronics America
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RJK0305DPB-02#J0 Produkteigenschaften

Artikelnummer : RJK0305DPB-02#J0
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8nC @ 4.5V
Vgs (Max) : +16V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1250pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : LFPAK
Paket / fall : SC-100, SOT-669

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