SI8413DB-T1-E1 Preise (USD) [142562Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SI8413DB-T1-E1
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V 4.8A 2X2 4-MFP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI8413DB-T1-E1 elektronische Komponenten. SI8413DB-T1-E1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI8413DB-T1-E1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI8413DB-T1-E1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI8413DB-T1-E1
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 4.8A 2X2 4-MFP
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
48 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
21nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.47W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
4-Microfoot
Paket / fall :
4-XFBGA, CSPBGA
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