Vishay Siliconix - IRFI820GPBF

KEY Part #: K6393057

IRFI820GPBF Preise (USD) [29594Stück Lager]

  • 1 pcs$1.35295
  • 10 pcs$1.22030
  • 100 pcs$0.93027
  • 500 pcs$0.72356
  • 1,000 pcs$0.59952

Artikelnummer:
IRFI820GPBF
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Zener - Single, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Brückengleichrichter and Thyristoren - SCRs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix IRFI820GPBF elektronische Komponenten. IRFI820GPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRFI820GPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFI820GPBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRFI820GPBF
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 360pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 30W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220-3
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab