Artikelnummer :
IRFU220BTU_FP001
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
800 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
390pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I-PAK
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA