SI7913DN-T1-GE3 Preise (USD) [111328Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SI7913DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI7913DN-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI7913DN-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI7913DN-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI7913DN-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI7913DN-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
37 mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
24nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
1.3W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
PowerPAK® 1212-8 Dual
Supplier Device Package :
PowerPAK® 1212-8 Dual
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