IXTT4N150HV Preise (USD) [3541Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTT4N150HV
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO268.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Leistungstreibermodule and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTT4N150HV elektronische Komponenten. IXTT4N150HV kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTT4N150HV haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXTT4N150HV Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTT4N150HV
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO268
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
44.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1576pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
280W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-268
Paket / fall :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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