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- Artikelnummer:
- FDN5618P
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDN5618P elektronische Komponenten. FDN5618P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDN5618P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDN5618P Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDN5618P
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.25A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
13.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
430pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
500mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SuperSOT-3
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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