IPS65R1K5CEAKMA1 Preise (USD) [2676Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPS65R1K5CEAKMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V TO-251-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
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- Chip von:
- Hongkong
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IPS65R1K5CEAKMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPS65R1K5CEAKMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V TO-251-3
Serie :
CoolMOS™ CE
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
225pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
28W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-251
Paket / fall :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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