ON Semiconductor - FQI4N80TU

KEY Part #: K6419019

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Artikelnummer:
FQI4N80TU
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQI4N80TU Produkteigenschaften

Artikelnummer : FQI4N80TU
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
Serie : QFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 Ohm @ 1.95A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 880pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I2PAK (TO-262)
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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