BSP89H6327XTSA1 Preise (USD) [358030Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSP89H6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 4SOT223.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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BSP89H6327XTSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSP89H6327XTSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 4SOT223
Serie :
SIPMOS®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
240V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
350mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 350mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.8V @ 108µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.4nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
140pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-SOT223-4
Paket / fall :
TO-261-4, TO-261AA
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