STMicroelectronics - STP1N105K3

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Artikelnummer:
STP1N105K3
Hersteller:
STMicroelectronics
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO-220.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Thyristoren - SCRs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP1N105K3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : STP1N105K3
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO-220
Serie : SuperMESH3™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1050V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 180pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 60W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220
Paket / fall : TO-220-3

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