Infineon Technologies - IPP80P04P4L04AKSA1

KEY Part #: K6401831

IPP80P04P4L04AKSA1 Preise (USD) [2915Stück Lager]

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Artikelnummer:
IPP80P04P4L04AKSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH TO220-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - JFETs ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP80P04P4L04AKSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IPP80P04P4L04AKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET P-CH TO220-3
Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 176nC @ 10V
Vgs (Max) : +5V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3800pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 125W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO220-3-1
Paket / fall : TO-220-3

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