IXTH12N100 Preise (USD) [7477Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTH12N100
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTH12N100 elektronische Komponenten. IXTH12N100 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTH12N100 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXTH12N100 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTH12N100
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
Serie :
MegaMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
170nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4000pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247 (IXTH)
Paket / fall :
TO-247-3
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