Artikelnummer :
PMPB20UN,115
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 6.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7.1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
460pF @ 10V
Verlustleistung (max.) :
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-DFN2020MD (2x2)
Paket / fall :
6-UDFN Exposed Pad