NTD18N06LT4G Preise (USD) [247187Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NTD18N06LT4G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 18A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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NTD18N06LT4G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NTD18N06LT4G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
65 mOhm @ 9A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 5V
Vgs (Max) :
±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
675pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.1W (Ta), 55W (Tj)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DPAK
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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