Artikelnummer :
TK40P03M1(T6RDS-Q)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
40A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1150pF @ 10V
Verlustleistung (max.) :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DPAK
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63