Diodes Incorporated - DMN63D1LT-13

KEY Part #: K6396244

DMN63D1LT-13 Preise (USD) [612933Stück Lager]

  • 1 pcs$0.06035

Artikelnummer:
DMN63D1LT-13
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN63D1LT-13 elektronische Komponenten. DMN63D1LT-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN63D1LT-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN63D1LT-13 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DMN63D1LT-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 320mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 392nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 30pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 330mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-523
Paket / fall : SOT-523