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Microsemi Corporation - APTC60DDAM70CT1G

KEY Part #: K6523789

[4664Stück Lager]

    Artikelnummer:
    APTC60DDAM70CT1G
    Hersteller:
    Microsemi Corporation
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Single, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
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    Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTC60DDAM70CT1G elektronische Komponenten. APTC60DDAM70CT1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTC60DDAM70CT1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTC60DDAM70CT1G Produkteigenschaften

    Artikelnummer : APTC60DDAM70CT1G
    Hersteller : Microsemi Corporation
    Beschreibung : MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
    Serie : CoolMOS™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
    FET-Funktion : Super Junction
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 39A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 39A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 2.7mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 259nC @ 10V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7000pF @ 25V
    Leistung max : 250W
    Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Chassis Mount
    Paket / fall : SP1
    Supplier Device Package : SP1

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