Infineon Technologies - BSZ0902NSATMA1

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BSZ0902NSATMA1 Preise (USD) [243518Stück Lager]

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Artikelnummer:
BSZ0902NSATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ0902NSATMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BSZ0902NSATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 19A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1700pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TSDSON-8-FL
Paket / fall : 8-PowerTDFN

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