IXFR180N10 Preise (USD) [5736Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFR180N10
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Dioden - Gleichrichter - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFR180N10 elektronische Komponenten. IXFR180N10 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFR180N10 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFR180N10 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFR180N10
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
165A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
400nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
9400pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
400W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
ISOPLUS247™
Paket / fall :
ISOPLUS247™
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