Artikelnummer :
IPP045N10N3GHKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
117nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8410pF @ 50V
Verlustleistung (max.) :
214W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220-3