SCH2080KEC Preise (USD) [2479Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SCH2080KEC
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Rohm Semiconductor SCH2080KEC elektronische Komponenten. SCH2080KEC kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SCH2080KEC haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SCH2080KEC Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SCH2080KEC
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
117 mOhm @ 10A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 4.4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
106nC @ 18V
Vgs (Max) :
+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1850pF @ 800V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
262W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247
Paket / fall :
TO-247-3
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