BSB104N08NP3GXUSA1 Preise (USD) [142021Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSB104N08NP3GXUSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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BSB104N08NP3GXUSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSB104N08NP3GXUSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
13A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 40µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2100pF @ 40V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.8W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / fall :
3-WDSON
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