Infineon Technologies - IRF7821PBF

KEY Part #: K6411501

IRF7821PBF Preise (USD) [13769Stück Lager]

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Artikelnummer:
IRF7821PBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Module and Thyristoren - SCRs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7821PBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRF7821PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.1 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1010pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 155°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SO
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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