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Microsemi Corporation - APTM120U10SCAVG

KEY Part #: K6412691

APTM120U10SCAVG Preise (USD) [13357Stück Lager]

  • 100 pcs$133.52545
Artikelnummer:
APTM120U10SCAVG
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - spezieller Zweck ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTM120U10SCAVG elektronische Komponenten. APTM120U10SCAVG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTM120U10SCAVG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM120U10SCAVG Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTM120U10SCAVG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
Serie : POWER MOS 7®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 116A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 20mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1100nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 28900pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3290W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SP6
Paket / fall : SP6

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