IPN60R2K1CEATMA1 Preise (USD) [451118Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPN60R2K1CEATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IPN60R2K1CEATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPN60R2K1CEATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 60µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
140pF @ 100V
FET-Funktion :
Super Junction
Verlustleistung (max.) :
5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-SOT223
Paket / fall :
SOT-223-3
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