FDD850N10LD Preise (USD) [180202Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDD850N10LD
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Zener - Single, Leistungstreibermodule, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Dioden - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDD850N10LD elektronische Komponenten. FDD850N10LD kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDD850N10LD haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDD850N10LD Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDD850N10LD
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Last Time Buy
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
15.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
75 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
28.9nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1465pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
42W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252-4L
Paket / fall :
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
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