IRF7807TRPBF Preise (USD) [186409Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IRF7807TRPBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Dioden - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - TRIACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - IGBTs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF7807TRPBF elektronische Komponenten. IRF7807TRPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF7807TRPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRF7807TRPBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF7807TRPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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