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- Artikelnummer:
- SUD50N10-18P-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 8.2A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - IGBTs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SUD50N10-18P-GE3 elektronische Komponenten. SUD50N10-18P-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SUD50N10-18P-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SUD50N10-18P-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SUD50N10-18P-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 8.2A DPAK
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8.2A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
75nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2600pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3W (Ta), 136.4W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252, (D-Pak)
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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