IPD100N06S403ATMA2 Preise (USD) [102153Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPD100N06S403ATMA2
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - JFETs, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPD100N06S403ATMA2 elektronische Komponenten. IPD100N06S403ATMA2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPD100N06S403ATMA2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPD100N06S403ATMA2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD100N06S403ATMA2
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 90µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
128nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
10400pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
150W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3-11
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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