DMN1019UVT-7 Preise (USD) [635766Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN1019UVT-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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DMN1019UVT-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN1019UVT-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
50.4nC @ 8V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2588pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.73W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TSOT-26
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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