ON Semiconductor - FDD6696

KEY Part #: K6404039

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    Artikelnummer:
    FDD6696
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 30V 13A D-PAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Leistungstreibermodule ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDD6696 elektronische Komponenten. FDD6696 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDD6696 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDD6696 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FDD6696
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 13A D-PAK
    Serie : PowerTrench®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13A (Ta), 50A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 13A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±16V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1715pF @ 15V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : D-PAK (TO-252)
    Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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