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- Artikelnummer:
- APT5025BN
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT5025BN elektronische Komponenten. APT5025BN kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT5025BN haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
APT5025BN Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT5025BN
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD
Serie :
POWER MOS IV®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
23A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
130nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2950pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
310W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247AD
Paket / fall :
TO-247-3
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