IXFX30N110P Preise (USD) [3957Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFX30N110P
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module and Thyristoren - TRIACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IXFX30N110P Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFX30N110P
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
Serie :
HiPerFET™, PolarP2™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
235nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
13600pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
960W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PLUS247™-3
Paket / fall :
TO-247-3
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