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- Artikelnummer:
- IPP086N10N3GHKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - spezieller Zweck ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IPP086N10N3GHKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPP086N10N3GHKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.6 mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 75µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
55nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3980pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220-3
Paket / fall :
TO-220-3
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