Infineon Technologies - AUIRF7313QTR

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Artikelnummer:
AUIRF7313QTR
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays and Thyristoren - SCRs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRF7313QTR Produkteigenschaften

Artikelnummer : AUIRF7313QTR
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 755pF @ 25V
Leistung max : 2.4W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO

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