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Microsemi Corporation - APTMC60TL11CT3AG

KEY Part #: K6523767

APTMC60TL11CT3AG Preise (USD) [4055Stück Lager]

  • 100 pcs$97.63581
Artikelnummer:
APTMC60TL11CT3AG
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Brückengleichrichter, Leistungstreibermodule, Dioden - Zener - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTMC60TL11CT3AG elektronische Komponenten. APTMC60TL11CT3AG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTMC60TL11CT3AG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTMC60TL11CT3AG Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTMC60TL11CT3AG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET-Funktion : Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 1000V
Leistung max : 125W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP3
Supplier Device Package : SP3

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