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- Artikelnummer:
- IRFU3711PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRFU3711PBF elektronische Komponenten. IRFU3711PBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRFU3711PBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRFU3711PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFU3711PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
44nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2980pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta), 120W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
IPAK (TO-251)
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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