SIDR668DP-T1-GE3 Preise (USD) [66642Stück Lager]
- 1 pcs$0.58673
- Artikelnummer:
- SIDR668DP-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - JFETs, Thyristoren - TRIACs, Dioden - RF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Brückengleichrichter and Thyristoren - SCRs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
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SIDR668DP-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIDR668DP-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
23.2A (Ta), 95A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
108nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5400pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® SO-8DC
Paket / fall :
PowerPAK® SO-8
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