Artikelnummer :
SSM3J120TU,LF
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 4A UFM
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
38 mOhm @ 3A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22.3nC @ 4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1484pF @ 10V
Verlustleistung (max.) :
500mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
UFM
Paket / fall :
3-SMD, Flat Leads