SI8466EDB-T2-E1 Preise (USD) [498647Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SI8466EDB-T2-E1
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI8466EDB-T2-E1 elektronische Komponenten. SI8466EDB-T2-E1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI8466EDB-T2-E1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI8466EDB-T2-E1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI8466EDB-T2-E1
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
43 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
710pF @ 4V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
4-Microfoot
Paket / fall :
4-UFBGA, WLCSP
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