RQ6E055BNTCR Preise (USD) [421931Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RQ6E055BNTCR
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single and Dioden - Zener - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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RQ6E055BNTCR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RQ6E055BNTCR
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.6nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
355pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.25W (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TSMT6 (SC-95)
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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