SI4210DY-T1-GE3 Preise (USD) [3690Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SI4210DY-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - JFETs, Dioden - Brückengleichrichter, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI4210DY-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI4210DY-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI4210DY-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI4210DY-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI4210DY-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
445pF @ 15V
Leistung max :
2.7W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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