RSJ10HN06TL Preise (USD) [29687Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RSJ10HN06TL
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 100A LPTS.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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RSJ10HN06TL Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RSJ10HN06TL
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
202nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
11000pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
100W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
LPTS
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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