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- Artikelnummer:
- SPB80N10L G
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 80A TO-263.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - RF and Transistoren - spezieller Zweck ...
- Wettbewerbsvorteil:
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SPB80N10L G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SPB80N10L G
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
Serie :
SIPMOS®
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14 mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
240nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4540pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
250W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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