DMC3021LSDQ-13 Preise (USD) [336250Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMC3021LSDQ-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMC3021LSDQ-13 elektronische Komponenten. DMC3021LSDQ-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMC3021LSDQ-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMC3021LSDQ-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMC3021LSDQ-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8.5A, 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16.1nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
767pF @ 10V
Leistung max :
2.5W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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