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Microsemi Corporation - APTM100UM45FAG

KEY Part #: K6396566

APTM100UM45FAG Preise (USD) [326Stück Lager]

  • 1 pcs$142.79342
  • 100 pcs$142.08300
Artikelnummer:
APTM100UM45FAG
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - TRIACs and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTM100UM45FAG elektronische Komponenten. APTM100UM45FAG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTM100UM45FAG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100UM45FAG Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTM100UM45FAG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 215A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 107.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 30mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1602nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 42700pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 5000W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SP6
Paket / fall : SP6

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