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ON Semiconductor - FDS3601

KEY Part #: K6524604

[3777Stück Lager]

    Artikelnummer:
    FDS3601
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - SCRs - Module and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDS3601 elektronische Komponenten. FDS3601 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDS3601 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDS3601 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FDS3601
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
    Serie : PowerTrench®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
    FET-Funktion : Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.3A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 480 mOhm @ 1.3A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 10V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 153pF @ 50V
    Leistung max : 900mW
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Supplier Device Package : 8-SOIC

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