DMT3006LDK-7 Preise (USD) [484616Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMT3006LDK-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
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- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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DMT3006LDK-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMT3006LDK-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
17.1A (Ta), 46.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.5 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22.6nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1320pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.1W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
V-DFN3030-8
Paket / fall :
8-PowerWDFN
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