IXYS - IXTN30N100L

KEY Part #: K6393553

IXTN30N100L Preise (USD) [1716Stück Lager]

  • 1 pcs$26.47759
  • 10 pcs$24.75922
  • 25 pcs$22.89888
  • 100 pcs$21.46770

Artikelnummer:
IXTN30N100L
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Dioden - Zener - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTN30N100L elektronische Komponenten. IXTN30N100L kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTN30N100L haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTN30N100L Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXTN30N100L
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 15A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 545nC @ 20V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 13700pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 800W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SOT-227B
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC